Ge(112)-(4×1)-In表面重构的原子结构

• 作者: 涂修文 盖峥
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 表面结构 In Ge 扫描隧道显微镜(STM)
• 年，卷（期）: 2001,（12）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：结构、热学和力学性质
• 页码范围: 2439-2445
• 页数: 7页
• 分类号: O4
• 字数: 5683字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.12.029

摘要

用扫描隧道显微镜(STM)研究了亚单层In原子引起的Ge(112)-(4×1)-In表面重构.结合随偏压极性不同而显著不同的STM图象和相应的"原子图象",为这个重构提出了一个原子结构模型,供进一步研究参考.其中,In原子的吸附位置与它在Si(112)表面的吸附位置一致,但与Al原子和Ga原子在Si(112)表面的吸附位置不同.这个吸附位置的不同主要是由In原子较长的共价键键长引起的.