高面指数GaAs衬底上自组织生长应变I n0.15Ga0.85As/GaAs量子线阵列

• 作者: 刘式墉 崔立奇 张文俊 张荣桂 梁春广 闫发旺
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 分子束外延 高面指数 量子线陈列
• 年，卷（期）: 2001,（10）
• 所属期刊栏目: EDA技术专栏
• 页码范围: 74-77
• 页数: 4页
• 分类号: TB383
• 字数: 2784字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2001.10.021

摘要

利用分子束外延(MBE)技术在高面指数(553)B GaA s衬底上自组织生长了应变Ga0.85In0.15As/GaAs量子线阵列结构.通过原子力显微镜(AFM)对Ga0.85In0.15A s外延层的表面形貌进行了观测.测试结果表明量子线的密度高达4×105/cm.研究了量子线阵列样品的低温偏振光致发光谱(PPL),发现其发光峰半高宽(FWHM)最小为9.2 MeV,最大偏振度p[ (I -I )/(I +I)]可达0.22,这些测试结果表明制备出了高密度、高均匀性及特性良好的一维量子线阵列结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘式墉	吉林大学电子工程系	57	381	11.0	17.0
2	梁春广		12	96	4.0	9.0
3	闫发旺		1	0	0.0	0.0
7	张文俊		1	0	0.0	0.0
8	张荣桂		1	0	0.0	0.0
9	崔立奇		1	0	0.0	0.0