Au/PZT/BIT/p-Si异质结的制备与性能研究

• 作者: 于军 周东祥 周文利 王华 王耘波 董小敏 赵建洪
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 铁电薄膜 异质结构 脉冲激光沉积(PLD)
• 年，卷（期）: 2001,（5）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 981-985
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3513字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.05.036

摘要

采用脉冲激光沉积(PLD)工艺，制备了以Bi4Ti3O12(B IT)为过渡阻挡层的Au/PZT/BIT/p-Si异质结. 研究了BIT铁电层对Pb(Zr0.52Ti0 .48)O3(PZT)薄膜晶相结构、铁电及介电性能的影响，对Au/PZT/BIT/p-Si异质结的导 电机制进行了讨论. 氧气氛530℃淀积的PZT为多晶铁电薄膜，与直接淀积在Si基片上相比， 加入BIT铁电层后PZT铁电薄膜的(110)取向更加明显；在铁电层总厚度均为400?nm的情况下 ， PZT/BIT双层铁电薄膜比PZT单层铁电薄膜具有更大的剩余极化和更低的矫顽场；观察到顺时 针回滞的C-V特性曲线，表明铁电极化控制了硅的表面势，薄膜呈现极化开关的特性； I-V 特性曲线表明异质结具有明显的单向导电性，并证实异质结在弱场下导电遵循欧姆定律，强 场下以空间电荷限制电流(SCLC)为主；异质结具有较好的疲劳特性，109次极化反转后其 剩余极化仍达到初始值的90%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于军	华中科技大学电子科学与技术系	103	537	11.0	16.0
2	王华	华中科技大学电子科学与技术系	98	463	13.0	17.0
4	周东祥	华中科技大学电子科学与技术系	161	1320	16.0	25.0
7	王耘波	华中科技大学电子科学与技术系	68	398	10.0	16.0
8	周文利	华中科技大学电子科学与技术系	29	80	5.0	6.0
9	赵建洪	华中科技大学电子科学与技术系	2	10	2.0	2.0
10	董小敏	华中科技大学电子科学与技术系	1	5	1.0	1.0