深亚微米MOS器件的热载流子效应

• 作者: 刘红侠 孙志 郝跃
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 深亚微米 MOS器件 热载流子效应 可靠性
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 页码范围: 770-773
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 2433字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.06.020

摘要

对深亚微米器件中热载流子效应(HCE)进行了研究.还研究了沟道热载流子的产生和注入以及与器件工作在高栅压、中栅压和低栅压三种典型的偏置条件的关系.在分析热载流子失效机理的基础上,讨论了热载流子效应对电路性能的影响.提出影响晶体管热载流子效应的因素有:晶体管的几何尺寸、开关频率、负载电容、输入速率及晶体管在电路中的位置.通过对这些失效因素的研究并通过一定的再设计手段,可以减少热载流子效应导致的器件退化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子所	312	1866	17.0	25.0
2	刘红侠	西安电子科技大学微电子所	91	434	10.0	15.0
3	孙志	西安电子科技大学微电子所	4	35	2.0	4.0