低功耗IGBT(LPL-IGBT)及其仿真

• 作者: 亢宝位 吴郁 王哲 程序 陆秀洪 高琰
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: PT-IGBT NPT-IGBT 通态压降 关断损耗
• 年，卷（期）: 2001,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1565-1571
• 页数: 7页
• 分类号: TN323+.4
• 字数: 5037字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.12.018

摘要

提出了一种新结构的IGBT,取名为低功耗IGBT(LPL-IGBT),它具有离子注入形成的超薄且轻掺杂的背P型发射区,从而具有NPT-IGBT的优点;同时具有由衬底预扩散残留层构成的n型缓冲层,又具有PT-IGBT的优点.计算机仿真结果证明,它的关断损耗比PT-IGBT和NPT-IGBT降低一倍左右.它的结构比FSIGBT更适合于实际生产.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴郁	北京工业大学电子信息与控制学院	38	215	9.0	13.0
2	陆秀洪	北京工业大学电子信息与控制学院	1	26	1.0	1.0
3	亢宝位	北京工业大学电子信息与控制学院	28	291	10.0	16.0
4	王哲	北京工业大学电子信息与控制学院	13	60	4.0	7.0
5	程序	北京工业大学电子信息与控制学院	9	81	4.0	9.0
6	高琰	北京工业大学电子信息与控制学院	2	35	2.0	2.0