a-SiC/c-Si异质结太阳能电池中a-SiC:H薄膜的设计分析

• 作者: 林鸿生 段开敏 马雷
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 异质结太阳能电池 Newton-Raphson解法 a-SiC:H隙态密度分布 载流子收集
• 年，卷（期）: 2001,（12）
• 所属期刊栏目: 应用长廊
• 页码范围: 70-74
• 页数: 5页
• 分类号: TN914.4
• 字数: 3624字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2001.12.023

摘要

通过应用Scharfetter-Gumme1解法数值求解Poisson方程,对热平衡p+(a-SiC:H)/n(c-Si)异质结太阳能电池进行计算机数值模拟分析.给出了p+(a-SiC:H)膜厚及其p型掺杂浓度设计,还讨论了p+(a-SiC:H)/n(c-Si)异质结太阳能电池稳定性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林鸿生	中国科学技术大学物理系	16	74	5.0	8.0
2	段开敏	中国科学技术大学物理系	10	50	4.0	7.0
3	马雷	中国科学技术大学物理系	22	323	9.0	17.0