(Si,Er)双注入热氧化SiO2/Si薄膜的表面结构及1.54μm光发射

• 作者: 张通和 徐飞 易仲珍 曾宇昕 程国安 肖志松 顾岚岚
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: MEVVA离子源 双注入 掺铒硅 光致发光
• 年，卷（期）: 2001,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1258-1263
• 页数: 6页
• 分类号: O482.3
• 字数: 4085字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.10.007

摘要

利用金属蒸气真空弧(MEVVA)离子源将Si和Er离子双注入到不同厚度热氧化SiO2/Si薄膜中获得Er掺杂硅基发光薄膜.掺杂到热氧化SiO2/Si薄膜表面的Er原子浓度可达到～10%,即体浓度～1021cm.热氧化SiO)2膜越厚,溅射后SiO2保留量越多;再结晶硅颗粒结晶程度提高,逐渐纳米化;未见有大量的Er偏析或铒硅化物形成,Er大部分以固溶形式存在.在77K下获得了较强1.54μm光致发光信号,室温下发光强度温度猝灭不明显.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张通和		49	1052	11.0	32.0
2	程国安	南昌大学材料科学与工程系	17	202	5.0	14.0
3	徐飞		19	97	5.0	9.0
7	易仲珍		6	7	2.0	2.0
8	曾宇昕	南昌大学材料科学与工程系	11	25	4.0	4.0
9	肖志松		8	10	2.0	2.0
10	顾岚岚		8	42	4.0	6.0