模拟器件稳态热场正确性的判断方法

• 作者: 张鸿欣
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 热分析 可靠性 半导体器件
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 496-499
• 页数: 4页
• 分类号: TN406
• 字数: 1821字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.04.022

摘要

对稳态热场，二个水平剖面A和B所夹的薄层上的温差必须严格等于本文提出的平均值定理的计算值．当芯片、基片和底座的截面大小一样时，可以直接根据平均值定理计算出芯片、基片和底座的每一水平剖面上的平均温度，通常可以手工完成；当芯片、基片和底座的截面大小不一样时，可以通过数据合成根据平均值定理计算出芯片、基片和底座的每一水平剖面上的平均温度．如果计算中有的参数如沟道长度不十分清楚时，应作模拟了解该参数对热斑温度的影响，必要时对该参数进一步了解以保证模拟精度．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张鸿欣	西安电子科技大学CAD所	2	5	2.0	2.0