钼酸铵晶体生长动力学研究

• 作者: 万林生 廖春发 徐志峰 易永鹏 许秀莲 邓庚凤 郭年祥
• 来源期刊: 中国钼业
• 学科: 工学
• 关键词: 钼酸铵 晶体生长 速率 反应历程 控制性步骤
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 所属期刊栏目: 化工
• 页码范围: 34-37
• 页数: 4页
• 分类号: TQ136.1+2
• 字数: 3251字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-2602.2001.02.009

摘要

研究了四钼酸铵(AQM)晶体生长速率、反应历程和控制性步骤。结果表明：AQM晶体线生长速率()在0.3～1.75 μm/min范围内。过饱和生成速度大于消除速度的结晶初期，结晶过程处于相变反应控制的动力学区域，该区域和溶液过饱和度(ΔC)由上升到下降。当过饱和消除速度增大到与生成速度相等时，过程转变为由Mo8O4-26聚合反应控制的化学反应区域，此区域和ΔC处于稳定不变的状态。结晶后期(即ΔC)不变时，成核速率却依然快速升高的特征表明，AQM成核大部分是在首先接触到无机酸的局部溶液中完成的。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓庚凤		9	86	4.0	9.0
2	万林生		10	69	5.0	8.0
3	廖春发		11	210	5.0	11.0
4	许秀莲		8	165	5.0	8.0
5	郭年祥		9	48	2.0	6.0
6	徐志峰		9	48	4.0	6.0
7	易永鹏		3	14	3.0	3.0