低剂量SIMOX圆片表层硅缺陷密度

• 作者: 林梓鑫 王曦 郑望 陈猛 陈静
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SOI 缺陷 Secco
• 年，卷（期）: 2001,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 871-874
• 页数: 4页
• 分类号: O485
• 字数: 2863字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.07.011

摘要

用增强化学腐蚀法研究了低剂量SIMOX-SOI材料表层硅质量与实验参数的关系.结果表明,注入剂量和能量对表层硅质量有明显影响.通过对注入剂量和能量的优化,表层硅线缺陷密度可低于104cm-2.在注入能量为160keV时,获得低线缺陷密度对应的注入剂量为5.5×1017cm-2左右,当注入剂量为4.5×1017cm-2,获得低线缺陷密度对应的注入能量为130keV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈静	中国科学院上海冶金研究所	195	2091	24.0	37.0
2	王曦	中国科学院上海冶金研究所	60	322	10.0	15.0
3	陈猛	中国科学院上海冶金研究所	19	341	8.0	18.0
4	郑望	中国科学院上海冶金研究所	4	17	2.0	4.0
5	林梓鑫	中国科学院上海冶金研究所	4	15	2.0	3.0