6H-SiC高压肖特基势垒二极管

• 作者: 刘忠立 姚文卿 徐萍 王姝睿 葛永才 高翠华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 肖特基势垒二极管 6H-SiC
• 年，卷（期）: 2001,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1052-1056
• 页数: 5页
• 分类号: TN311+.7
• 字数: 3413字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.08.021

摘要

在可商业获得的N型6H-SiC晶片上，通过化学气相淀积，进行同质外延生长，在此结构材料上，通过热蒸发,制作Ni/6H-SiC肖特基势垒二极管．测量并分析了肖特基二极管的电学特性，结果表明，肖特基二极管具有较好的整流特性：反向击穿电压约为450V,室温下，反向电压VR=-200V时,反向漏电流JL=5×10-4A*cm-2；理想因子为1.09,肖特基势垒高度为1.24—1.26eV，开启电压约为0.8V．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐萍	中国科学院半导体研究所	104	1243	21.0	33.0
2	刘忠立	中国科学院半导体研究所	77	412	12.0	14.0
3	葛永才	中国科学院半导体研究所	5	17	3.0	4.0
4	王姝睿	中国科学院半导体研究所	7	52	5.0	7.0
5	姚文卿	中国科学院半导体研究所	1	9	1.0	1.0
6	高翠华	中国科学院半导体研究所	1	9	1.0	1.0