薄二氧化硅MOS电容电离辐射陷阱电荷研究

• 作者: 刘忠立
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOS电容 电离辐射 陷阱电荷
• 年，卷（期）: 2001,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 904-907
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 2768字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.07.018

摘要

采用高频C-V曲线方法,研究了50nm及15nm MOS电容电离辐射空穴陷阱及界面态的建立过程.二种样品电离辐射空穴陷阱电荷密度在1×103Gy(Si)剂量下近乎相同,而在大于3×103Gy(Si)剂量下,50nm MOS电容的电荷密度约为15nm MOS电容的2倍.利用电离辐射后的隧道退火效应,计算出二种样品电离辐射陷阱电荷在Si-SiO2界面附近分布的距离均约为4nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘忠立	中国科学院半导体研究所	77	412	12.0	14.0