4H-SiC混合PN/Schottky二极管的研制

• 作者: J.H.Zhao P.Alexandrov 张义门 张玉明
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 功率器件 碳化硅 半导体二极管 MPS
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 265-270
• 页数: 6页
• 分类号: TN311+.7
• 字数: 1327字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.03.004

摘要

报道了4H-SiC混合PN/Schottky二极管的设计、制备和特性．该器件用镍作为肖特基接触金属，使用了结终端扩展（JTE）技术．在肖特基接触下的n型漂移区采用多能量注入的方法形成P区而组成面对面的PN结，这些PN结将肖特基接触屏蔽在高场之外，离子注入的退化是在1500℃下进行了30min．器件可耐压600V，在600V时的最小反向漏电流为1×10-3A/cm2．1000μm的大器件在正向电压为3V时电流密度为200A/cm2，而300μm的小尺寸器件在正向电压为3.5V电流密度可达1000A/cm2．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子所	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子所	126	777	15.0	20.0