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摘要:
研究了离子损伤对等离子体辅助分子束外延生长的GaNAs/GaAs和GaInNAs/GaAs量子阱的影响.研究表明离子损伤是影响GaNAs和GaInNAs量子阱质量的关键因素.去离子磁场能有效地去除了等离子体活化产生的氮离子.对于使用去离子磁场生长的GaNAs和GaInNAs量子阱样品,X射线衍射测量和PL谱测量都表明样品的质量被显著地提高.GaInAs量子阱的PL强度已经提高到可以和同样条件下生长的GaInAs量子阱相比较.研究也表明使用的磁场强度越强,样品的光学质量提高越明显.
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文献信息
篇名 离子损伤对等离子体辅助分子束外延生长的GaNAs/GaAs和GaInNAs/GaAs量子阱的影响
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 Ga(In)NAs 分子束外延(MBE) 离子损伤 X射线衍射 光致发光
年,卷(期) 2001,(1) 所属期刊栏目 研究快报
研究方向 页码范围 31-34
页数 4页 分类号 TN304.2+3
字数 573字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.01.005
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张伟 中国科学院半导体研究所 342 3798 28.0 51.0
2 潘钟 中国科学院半导体研究所 6 35 2.0 5.0
3 李联合 中国科学院半导体研究所 5 14 2.0 3.0
4 林耀望 中国科学院半导体研究所 3 3 1.0 1.0
5 吴荣汉 中国科学院半导体研究所 22 159 8.0 12.0
6 王学宇 中国科学院半导体研究所 1 0 0.0 0.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
Ga(In)NAs
分子束外延(MBE)
离子损伤
X射线衍射
光致发光
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
国家重点基础研究发展计划(973计划)
英文译名:National Basic Research Program of China
官方网址:http://www.973.gov.cn/
项目类型:
学科类型:农业
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