2.5-10Gb/s光发射机驱动电路HEMT IC中器件模型参数

• 作者: 吴德馨 高建军 高葆新
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高速光集成电路 光发射机 驱动电路 HEMT器件模型参数
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 页码范围: 800-805
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 3299字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.06.027

摘要

对高速调制器驱动电路HEMTIC中器件参数进行了研究,着重讨论了HEMT器件直流参数、交流参数对外调制驱动电路特性的影响,给出了满足电路性能要求的器件参数范围;对2.5-10Gb/sPHEMTIC光驱动电路进行了计算机仿真,眼图模拟结果表明满足2.5-10Gb/s高速光纤通信系统需要.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴德馨	中国科学院微电子中心	58	345	11.0	14.0
2	高葆新	清华大学电子工程系	30	105	5.0	9.0
3	高建军	中国科学院微电子中心	2	5	2.0	2.0