利用高频Plasma CVD在蓝宝石衬底上生长 立方GaN缓冲层及其光学性质

• 作者: 修向前 岛袋淳一 池上隆兴 汤洪高 王大志 野崎真次
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 立方GaN 高频等离子体化学气相沉积 X射线光电子谱
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 页码范围: 182-186
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 2314字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.02.015

摘要

研究了采用高频PlasmaCVD技术在较低温度下(300—400℃)生长以GaN为基的Ⅲ-Ⅴ族氮化物的可行性，在蓝宝石衬底上生长了GaN缓冲层.热处理后的光致发光谱和X光衍射表明，生长的GaN缓冲层为立方相，带边峰位于3.15eV.在作者实验的范围内，最优化的TMGa流量为0.08sccm(TMAm=10sccm时)，XPS分析结果表明此时的Ga/N比为1.03.这是第一次在高Ⅴ/Ⅲ比下得到立方GaN.相同条件下石英玻璃衬底上得到的立方GaN薄膜，黄光峰很弱，晶体质量较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王大志	中国科学技术大学材料科学与工程系	22	200	9.0	13.0
2	汤洪高	中国科学技术大学材料科学与工程系	20	254	8.0	15.0
3	修向前	中国科学技术大学材料科学与工程系	2	35	2.0	2.0