在SiO2中掺Al对Au/纳米(SiO2/Si/SiO2)/p-Si 结构电致发光的影响

• 作者: 乔永萍 宗婉华 张伯蕊 王孙涛 秦国刚 陈源 马振昌
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 电致发光 发光中心 纳米硅
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 页码范围: 161-165
• 页数: 5页
• 分类号: O472+.3
• 字数: 3951字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.02.011

摘要

利用射频磁控溅射方法，制成纳米SiO2层厚度一定而纳米Si层厚度不同的纳米(SiO2/Si/SiO2)/p-Si结构和纳米(SiO2∶Al/Si/SiO2∶Al)/p-Si结构，用磁控溅射制备纳米SiO2∶Al时所用的SiO2/Al复合靶中的Al的面积百分比为1%．上述两种结构中Si层厚度均为1—3nm，间隔为0.2nm．为了对比研究，还制备了Si层厚度为零的样品．这两种结构在900℃氮气下退火30min，正面蒸半透明Au膜，背面蒸Al作欧姆接触后，都在正向偏置下观察到电致发光（EL）．在一定的正向偏置下，EL强度和峰位以及电流都随Si层厚度的增加而同步振荡，位相相同．但掺Al结构的发光强度普遍比不掺Al结构强．另外，这两种结构的EL具体振荡特性有明显不同．对这两种结构的电致发光的物理机制和SiO2中掺Al的作用进行了分析和讨论．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王孙涛	北京大学物理系	3	3	1.0	1.0
2	秦国刚	北京大学物理系	20	128	6.0	10.0
3	张伯蕊	北京大学物理系	11	70	4.0	8.0
4	陈源	北京大学物理系	12	78	4.0	8.0
5	乔永萍	北京大学物理系	1	3	1.0	1.0