InSb-In共晶体薄膜磁阻式电流传感器

• 作者: 黄钊洪
• 来源期刊: 传感器技术
• 学科: 工学
• 关键词: 锑化铟 共晶体 磁敏电阻 电流传感器
• 年，卷（期）: 2001,（7）
• 所属期刊栏目: 研究与探讨
• 页码范围: 11-13
• 页数: 3页
• 分类号: TP212
• 字数: 2111字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-9787.2001.07.003

摘要

介绍一种用锑化铟—铟（InSb-In）共晶体薄膜磁阻元件（MR）制成的电流传感器（MRCS），并设计了一种能较大幅度增大其输出电压的信号处理电路。当处理电路的电压增益为80?db，待测的50?Hz交流电流在40～110?mA之间变化时，输出电压在约1?V至约3.5?V范围内变化，并且两者之间有比较好的线性关系，标准偏差＜0.02。输出信号电压与本底噪声之比是（24～46）：1。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄钊洪	华南师范大学量子电子学研究所	28	175	8.0	12.0