分子束外延生长Al掺杂n型ZnS1-x Tex的类DX中心

• 作者: I.K.Sou J.WANG K.K.Mak Weikun Ge Z.H.Ma 卢励吾 张砚华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 分子束外延 宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体 类DX中心
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 页码范围: 145-150
• 页数: 6页
• 分类号: TN304
• 字数: 2861字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.02.008

摘要

应用光致发光(PL)、电容-电压(C-V)、深能级瞬态谱(DLTS)和光电导(PC)技术系统研究Al掺杂ZnS1-xTex中与Al有关的类DX中心．实验结果表明，ZnS1-xTex中存在与Ⅲ-Ⅴ族半导体DX中心相类似的性质．获得与Al有关的类DX中心光离化能Ei(～1.0eV和2.0eV)和发射势垒Ee(0.21eV和0.39eV)，这表明ZnS1-xTex大晶格弛豫的出现是由类DX中心引起．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	卢励吾	中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室	5	5	2.0	2.0
2	J.WANG	香港科技大学物理系	3	3	1.0	1.0
3	Z.H.Ma	香港科技大学物理系	2	2	1.0	1.0
4	I.K.Sou	香港科技大学物理系	4	4	2.0	2.0
5	Weikun Ge	香港科技大学物理系	3	3	1.0	1.0
6	张砚华	中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室	2	0	0.0	0.0
7	K.K.Mak	香港科技大学物理系	1	0	0.0	0.0