FCVAD合成Ta-C薄膜的Raman和XPS分析

• 作者: 刘玉龙 张荟星 王广甫 田人和
• 来源期刊: 北京师范大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: Ta-C薄膜 过滤阴极真空弧沉积 沉积能量 sp3键所占比例
• 年，卷（期）: 2001,（5）
• 页码范围: 608-611
• 页数: 4页
• 分类号: TL503
• 字数: 2118字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0476-0301.2001.05.008

摘要

用磁过滤阴极真空弧沉积(FCVAD)方法在Si衬底上合成了Ta-C薄膜,Raman光谱和光电子能谱(XPS)分析表明衬底加80～100V负偏压时合成的Ta-C薄膜sp3键所占比例最高,可达80%以上,并且在Ta-C薄膜表面存在一sp3键所占比例较低的薄层.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉龙	中国科学院物理研究所	33	308	9.0	17.0
2	王广甫	北京师范大学分析测试中心	45	220	7.0	13.0
6	张荟星	北京师范大学低能核物理研究所	17	115	6.0	10.0
7	田人和	北京师范大学低能核物理研究所	1	6	1.0	1.0