阻容元件

• 来源期刊: 电子科技文摘
• 学科: 工学
• 关键词: 非对称共面线 阻容元件 电容器 双层介质 过程集成 通信 基片 学报 热敏电阻 低温处理
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 页码范围: 7-7
• 页数: 1页
• 分类号: TN

摘要

【正】 0101855双层介质基片上的非对称共面线[刊]/阮成礼//通信学报.—2000,21（9）.—86～90（K）Y2000-62474-789 0101856Gb 规模 DRAM 用的低温（Ba,Sr）TiO₃电容器过程集成（LTB）技术=Low temperature（Ba.Sr）TiO₃ capaci-tor process integration（LTB）technology for gigabitscaled DRAMs[会,英]/Hieda,K.& Eguchi,K.//1999 IEEE International Electron Devices Meeting.—789～792（PC）