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摘要:
采用在阳极化反应时改变电流强度的办法,在高掺杂的P型硅(111)衬底上制备了具有不同多孔度的双层结构多孔硅层.用超高真空电子束蒸发技术在多孔硅表面外延生长了一层高质量的单晶硅膜.在室温下,该外延硅片同另一生长有热二氧化硅的硅片键合在一起,在随后的热处理过程中,键合对可在多孔硅处裂开,从而使外延的单晶硅膜转移到具有二氧化硅的衬底上以形成SOI结构.扫描电镜、剖面投射电镜、扩展电阻和霍尔测试表明SOI样品具有较好的结构和电学性能.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 用于制备SOI材料的基于硅片键合和双层多孔硅剥离的薄外延硅膜转移技术
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 SOI 多孔硅 硅外延 键合
年,卷(期) 2001,(12) 所属期刊栏目 研究快报
研究方向 页码范围 1501-1506
页数 6页 分类号 TN304.1+2
字数 1328字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.12.005
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 黄宜平 复旦大学微电子系专用集成电路和系统国家重点实验室 39 270 10.0 14.0
2 李爱珍 复旦大学微电子系专用集成电路和系统国家重点实验室 4 35 4.0 4.0
3 竺士炀 复旦大学微电子系专用集成电路和系统国家重点实验室 8 59 4.0 7.0
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研究主题发展历程
节点文献
SOI
多孔硅
硅外延
键合
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
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