半导体探测器的厚度确定及CsI(Tl)的刻度

• 作者: 吴和宇 张保国 李祖玉 柳永英 段利敏 王宏伟 王素芳 肖志刚 胡荣江 诸永泰 靳根明 魏志勇
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: 能量刻度 CsI(Tl) 半导体探测器
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 页码范围: 468-472
• 页数: 5页
• 分类号: O571.1|TL812|TL814|O571.42
• 字数: 2121字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2001.06.007

摘要

根据核反应过程中发射带电粒子在硅半导体中的最大能量沉积,利用带电粒子在硅半导体中的阻止本领曲线,同时实现半导体探测器的厚度确定及与之组合的CsI(Tl)的刻度。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李祖玉	中国科学院近代物理研究所	15	27	3.0	4.0
2	诸永泰	中国科学院近代物理研究所	11	13	2.0	3.0
3	张保国	中国科学院近代物理研究所	20	95	5.0	9.0
4	胡荣江	中国科学院近代物理研究所	5	5	1.0	2.0
5	靳根明	中国科学院近代物理研究所	53	117	5.0	8.0
6	肖志刚	中国科学院近代物理研究所	15	62	4.0	7.0
7	吴和宇	中国科学院近代物理研究所	10	16	3.0	3.0
8	段利敏	中国科学院近代物理研究所	13	19	2.0	3.0
9	王宏伟	中国科学院近代物理研究所	36	242	6.0	15.0
10	王素芳	中国科学院近代物理研究所	8	50	2.0	7.0
11	魏志勇	中国科学院近代物理研究所	9	11	2.0	3.0
12	柳永英	中国科学院近代物理研究所	2	5	1.0	2.0