聚合物发光器件中输运特性的模拟分析

• 作者: 俞钢 吴春亚 周祯华 杨恢东 熊绍珍 王跃 赵颖 郝云 陈有素
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 聚合物发光二极管 负阻现象 反向势垒,F-N隧穿模型 陷阱电荷限制电流(TCL)模型
• 年，卷（期）: 2001,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1176-1181
• 页数: 6页
• 分类号: TN383
• 字数: 3818字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.09.018

摘要

对聚合物发光二极管I-V特性的测量发现,被测器件内存在着类似于某些无机器件中的负阻现象和"迟滞回线”状场致漂移的伏安特性.模拟分析表明,一种反向势垒的存在及其击穿,应是引起负阻现象的原因.缺陷态的存在及其电荷填充的变化,是导致I-V特性曲线随偏压扫描方向变化的主要原因.而低场下的接触性能决定着发光二级管载流子的输运性质:若为非欧姆接触,则I-V曲线可用F-N隧穿模型来描述;若为欧姆接触,则应用陷阱电荷限制电流(TCL)模型来描述.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵颖		74	571	13.0	19.0
2	熊绍珍		1	8	1.0	1.0
3	吴春亚		1	8	1.0	1.0
4	郝云		1	8	1.0	1.0
5	王跃		35	205	7.0	14.0
6	陈有素		1	8	1.0	1.0
7	杨恢东		1	8	1.0	1.0
8	周祯华		1	8	1.0	1.0