脉冲ArF准分子激光淀积SiC/Si(100)薄膜的最佳晶化温度及光致发光

• 作者: 何海平 曹颖 林成鲁 汤洪高 王玉霞 王连卫 黄继颇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 激光淀积 SiC薄膜 晶化
• 年，卷（期）: 2001,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1277-1283
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.2+4
• 字数: 3461字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.10.011

摘要

用脉冲ArF准分子激光熔蚀SiC陶瓷靶,在800C Si(100)衬底上淀积SiC薄膜,经不同温度真空(10-3Pa)退火后,用FTIR、XRD、TEM、XPS、PL谱等分析方法,研究了薄膜最佳晶化温度及表面形态、结构、组成,并对在最佳退火温度处理后的样品进行了化学态、微结构及光致发光的研究.结果表明,在Si(100)上800C淀积的样品为非晶SiC薄膜.经850-1050C不同温度真空退火后,SiC薄膜经非晶核化-长大过程,在980C完成最佳晶化.随退火温度的变化,薄膜中可能存在3C-SiC与6H-SiC的竞争生长或/和3C-SiC相的长、消(最佳温度退火样品中6H-SiC和3C-SiC两种晶相共存).以370nm波长光激发样品薄膜表面,显示较强的447nm蓝光发射,其发光机制可能是空位缺陷及其它晶格缺陷形成的浅施主能级向价带的电子辐射复合跃迁.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王连卫	中国科学院上海冶金研究所	11	156	4.0	11.0
2	黄继颇	中国科学院上海冶金研究所	5	146	4.0	5.0
3	林成鲁	中国科学院上海冶金研究所	44	595	15.0	23.0
4	汤洪高	中国科技大学材料科学与工程系	3	4	1.0	2.0
5	王玉霞	中国科技大学材料科学与工程系	1	4	1.0	1.0
6	曹颖	中国科技大学材料科学与工程系	1	4	1.0	1.0
7	何海平	中国科技大学材料科学与工程系	1	4	1.0	1.0