肖特基C-V法研究AlxGa1-xN/GaN异质结界面二维电子气

• 作者: 俞慧强 刘杰 周慧梅 周玉刚 张荣 施毅 沈波 郑有炓 钱悦
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: AlxGa1-xN/GaN异质结 肖特基接触 二维电子气
• 年，卷（期）: 2001,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1420-1424
• 页数: 5页
• 分类号: O485
• 字数: 2838字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.11.014

摘要

通过对Pt/AI0 22Ga078N/GaN肖特基二极管的C-V测量,研究分析了A1022Ga078N/GaN异质结界面二维电子气(2DEG)浓度及其空间分布.测量结果表明,Al0.22Ga.8N/GaN异质结界面2DEG浓度峰值对应的深度在界面以下1.3nm处,2DEG分布峰的半高宽为2.3nm,2DEG面密度为6.5×1012cm-2.与AlxGa1xAs/GaAs异质结比,其2DEG面密度要高一个数量级,而空间分布则要窄一个数量级.这主要归结于A1xGa1-xN层中～MV/cm量级的压电极化电场和自发极化电场对AlxGa1-xN/GaN异质结能带的调制和AlxGa1xN/GaN异质结界面有更大的导带不连续.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘杰	南京大学物理系	27	427	8.0	20.0
2	施毅	南京大学物理系	103	490	13.0	17.0
3	郑有炓	南京大学物理系	78	353	11.0	15.0
4	张荣	南京大学物理系	134	576	13.0	17.0
5	沈波	南京大学物理系	34	136	7.0	10.0
6	俞慧强	南京大学物理系	9	65	3.0	8.0
7	周玉刚	南京大学物理系	9	15	2.0	3.0
8	周慧梅	南京大学物理系	4	8	2.0	2.0
9	钱悦	南京大学物理系	1	0	0.0	0.0