钛酸钡系PTCR半导体陶瓷烧结过程的计算机模拟 Ⅱ.烧结中后期及奥氏熟化过程中的晶粒生长

• 作者: 周东祥 张道礼 翁广安 龚树萍
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 钛酸钡系PTCR陶瓷 计算机模拟 烧结中后期 奥氏熟化 晶粒生长
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 638-642
• 页数: 5页
• 分类号: TM304
• 字数: 4402字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2001.06.026

摘要

对Monte-Carlo计算机模拟法的Q-States Potts模型进行了修正,用于模拟BaTiO3系PTCR半导体陶瓷烧结中后期的晶粒生长和奥氏熟化过程以及液相性质对晶粒生长的影响.模拟结果表明:在含有液相的二相系统,钛酸钡半导瓷样品在1240℃附近体积收缩率基本上达到了最大值,以后的保温阶段是在液相控制下的晶粒生长和致密化过程,这和大多数实验结果是一致的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周东祥	华中科技大学电子科学与技术系	161	1320	16.0	25.0
2	龚树萍	华中科技大学电子科学与技术系	88	698	13.0	18.0
3	张道礼	华中科技大学电子科学与技术系	33	158	7.0	10.0
4	翁广安		2	26	2.0	2.0