分子束外延生长高应变单量子阱激光器

• 作者: 徐应强 李联合 杜云 林耀望 潘钟
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: InGaAs 分子束外延 高应变 量子阱激光器
• 年，卷（期）: 2001,（9）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1097-1101
• 页数: 5页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 743字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.09.001

摘要

采用分子束外延方法研究了高应变InGaAs/GaAs量子阱的生长技术.将InGaAs/GaAs量子阱的室温光致发光波长拓展至1160nm,其光致发光峰半峰宽只有22meV.研制出1120nm室温连续工作的InGaAs/GaAs单量子阱激光器.对于100μm条宽和800μm腔长的激光器,最大线性输出功率达到200mW,斜率效率达到0.84mW/mA,最低阈值电流密度为450A/cm2,特征温度达到90K.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜云		21	67	5.0	7.0
2	潘钟		6	35	2.0	5.0
3	李联合		5	14	2.0	3.0
4	徐应强		17	50	4.0	6.0
5	林耀望		3	3	1.0	1.0