环境温度、电离辐射剂量率对NMOSFET器件特性参数的影响

• 作者: 何宝平 姚育娟 张正选 彭宏论
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 温度 剂量率 总剂量 退火
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 页码范围: 779-783
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 4360字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.06.022

摘要

研究了辐射环境温度、辐射剂量率、退火温度和退火偏置对CC4007NMOS器件阈值电压的影响.研究发现,低温(-30℃)辐照感生的氧化物陷阱电荷比室温(25℃)多,界面态电荷比室温要少;受不同γ剂量率辐射时,阈值电压的漂移程度不一样,在总剂量相同情况下,辐射剂量率高时,阈值电压的漂移量也大;辐照后,NMOS器件100℃退火速度要大于25℃退火速度,+5V栅偏压退火情况要大于浮空偏置情况.并对以上现象进行了分析和解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何宝平		46	291	9.0	13.0
2	彭宏论		11	80	5.0	8.0
3	姚育娟		10	48	4.0	6.0
4	张正选		21	88	5.0	8.0