在Si(111)上用有机溶胶-凝胶甩膜热解法制备(0001)定向的6H-SiC薄膜

• 作者: 何海平 曹颖 汤洪高 王玉霞 郭震
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 碳化硅 薄膜 溶胶凝胶
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：结构、教学和力学性质
• 页码范围: 256-261
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 3429字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.02.013

摘要

在Si(111)衬底上用聚苯乙烯溶胶-凝胶甩膜并经950℃真空(10－3 Pa)热解处理法，制备出晶态SiC薄膜.用FTIR，XRD，TEM，Raman XPS等方法研究了SiC薄膜的晶体结构、微结构、组成以及各元素的化学态等性质.结果表明制得的是沿(0001)高度择优取向的晶态6H-SiC薄膜.膜中SiC晶粒沿c轴柱状生长，其最大尺寸约150 nm,膜厚约为0.3 μm,SiC中的Si/C比约为1.表层有少许污染C(CH和CO)和少量O(Si2O3,CO态氧和吸附氧).从对比实验可知，在热解时将甩膜的Si片与另一空白Si片面面相贴可明显增加SiC的生成量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹颖	中国科学技术大学材料科学与工程系	5	7	2.0	2.0
2	汤洪高	中国科学技术大学材料科学与工程系	20	254	8.0	15.0
3	王玉霞	中国科学技术大学材料科学与工程系	18	138	5.0	11.0
4	何海平	中国科学技术大学材料科学与工程系	4	96	3.0	4.0
5	郭震	中国科学技术大学材料科学与工程系	4	25	2.0	4.0