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摘要:
论述了通过优化难熔金属栅电极的溅射工艺及采用适当的退火温度修复损伤来提高3nm栅氧W/TiN叠层栅MOS电容的性能.实验选取了合适的TiN厚度来减小应力,以较小的TiN溅射率避免溅射过程对栅介质的损伤,并采用了较高的N2/Ar比率在TiN溅射过程中进一步氮化了栅介质.实验得到了高质量的C-V曲线,并成功地把Nss(表面态密度)降低到了8×1010/cm2以下,达到了与多晶硅栅MOS电容相当的水平.
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文献信息
篇名 优化了栅电极溅射工艺的难熔金属栅MOS电容的性能
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 亚0.1μm代 难熔金属栅 溅射工艺 表面态
年,卷(期) 2001,(10) 所属期刊栏目 研究快报
研究方向 页码范围 1231-1234
页数 4页 分类号 TN305.92
字数 679字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.10.001
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 徐秋霞 中国科学院微电子研究中心 37 108 6.0 8.0
2 李瑞钊 中国科学院微电子研究中心 1 2 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
亚0.1μm代
难熔金属栅
溅射工艺
表面态
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
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