包含键环境修正的硅氢紧束缚势模型

• 作者: 潘必才
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 紧束缚势模型 半导体,缺陷
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：结构、教学和力学性质
• 页码范围: 268-272
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 4056字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.02.015

摘要

在已有的硅势模型基础上，引进氢原子，计及Si-H键环境的影响，构造出新的硅氢紧束缚势模型.通过测试计算，这一新的硅氢势模型显示出较好的传递性，可适宜于研究复杂的硅氢体系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	潘必才	中国科学技术大学物理系	7	58	3.0	7.0