碳对Si1-x-yGexCy合金氧化的影响

• 作者: 叶志镇 王亚东 赵炳辉 黄靖云
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 锗硅碳薄膜 氧化动力学 替代碳
• 年，卷（期）: 2001,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1119-1121
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.2+6
• 字数: 1989字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.09.006

摘要

利用椭圆偏振仪(EL)、傅里叶红外光谱(FTIR)研究了Si1-x-yGexCy合金分别在900℃和1000℃干氧气氛下形成氧化物的生长动力学.结果表明:在900℃氧化时,随着合金中的替代碳含量的增加,氧化速率逐渐下降;而在1000℃下氧化超过10min后,Si1-x-yGexCy合金的氧化基本上与碳的含量无关,与Si1-xGex的行为一致.这主要是由于在1000℃比较长时间的氧化过程中,替代位的碳逐渐析出形成β-SiC沉淀,失去了对氧化过程的影响作用.研究表明对于Si1-x-yGexCy薄膜和器件的应用来说,氧化的温度必须要小于1000℃.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶志镇		155	1638	21.0	35.0
2	赵炳辉		74	719	14.0	24.0
3	黄靖云		51	610	12.0	23.0
4	王亚东		12	69	4.0	8.0