Si基多孔 SiO2薄膜驻极体电荷储存稳定性

• 作者: A.Wedel 夏钟福 张冶文 张晓青
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 地球科学
• 关键词: 多孔 SiO2 薄膜驻极体 电荷储存稳定性
• 年，卷（期）: 2001,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 518-520
• 页数: 3页
• 分类号: TM930.4|TN603.5|N39
• 字数: 3524字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2001.05.026

摘要

通过控制溶胶-凝胶(sol-gel)工艺条件,利用相应条件下样品的红外光谱,等温表面电位衰减,开路热刺激放电电流谱等,考察了Si基多孔SiO2薄膜驻极体体内沉积的空间电荷的储存稳定性,分析了各种工艺参数与薄膜驻极体性质之间的联系.实验结果表明,反应物中水含量对薄膜驻极体的电荷储存稳定性及陷阱分布有一定的影响;烧结温度和时间对电荷的储存稳定性的影响较大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张冶文	同济大学波耳固体物理研究所	77	666	15.0	23.0
2	夏钟福	同济大学波耳固体物理研究所	79	508	12.0	19.0
3	张晓青	同济大学波耳固体物理研究所	30	93	5.0	7.0
4	A.Wedel		1	2	1.0	1.0