ULSI铜互连线技术中的电镀工艺

• 作者: 夏洋 张国海 王文泉 钱鹤 龙世兵
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路 铜互连 电镀
• 年，卷（期）: 2001,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1093-1096
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 2041字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.08.028

摘要

通过对电镀液中加入适当的整平剂和采用三步电流法，成功地将工业镀铜技术应用于ULSI铜互连线技术中，实现了对高宽比为1μm∶0.6μm的刻孔的无空洞、无裂缝填充．方阻测试表明，所镀铜膜的电阻率为2.0μΩ*cm，X射线衍射分析结果显示出的Cu（111）的致密结构非常有利于互连线技术中高抗电迁移性要求．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏洋	中国科学院微电子中心	67	325	9.0	14.0
2	钱鹤	中国科学院微电子中心	32	164	7.0	12.0
3	张国海	中国科学院微电子中心	5	81	4.0	5.0
4	王文泉	中国科学院微电子中心	1	21	1.0	1.0
5	龙世兵		6	91	5.0	6.0