质子和1MeV中子在硅中能量沉积的模拟计算

• 作者: 张义门 张玉明 陈世彬 陈雨生 黄流兴
• 来源期刊: 高能物理与核物理
• 学科: 物理学
• 关键词: 中子损伤 计算机模拟 蒙特卡罗 能量沉积
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 同步福射,核技术应用等
• 页码范围: 365-370
• 页数: 6页
• 分类号: O57
• 字数: 3919字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0254-3052.2001.04.015

摘要

在现有中子截面数据和粒子与物质相互作用的理论基础上，编写了计算中子非电离能量损失(NIEL)和电离能量损失(IEL)程序，利用该程序和引进的TRIM95程序计算了1MeV中子和质子在硅中IEL和NIEL的大小和分布等，并对计算结果进行了分析和比较.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子所	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子所	126	777	15.0	20.0
3	陈世彬	西安电子科技大学微电子所	2	28	2.0	2.0
7	陈雨生		36	433	11.0	19.0
8	黄流兴		21	137	7.0	11.0