CVD金刚石薄膜(111)与(100)取向生长的热力学分析

• 作者: 丁士进 刘志杰 张剑云 张卫 王季陶 王鹏飞
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 化学气相淀积 金刚石薄膜 热力学
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 217-219
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.18
• 字数: 1915字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2001.02.041

摘要

用非平衡热力学耦合模型计算了CVD金刚石薄膜生长过程中C2H2与CH3浓度之比[C2H2]/[CH3]随衬底温度和CH4浓度的变化关系,从理论上探讨了金刚石薄膜(111)面和(100)面取向生长与淀积条件的关系.在衬底温度和CH4浓度由低到高的变化过程中,[C2H2]/[CH3]逐渐升高,导致金刚石薄膜的形貌从(111)晶面转为(100)晶面.添加氧后C2H2与CH3浓度都将下降,但C2H2下降得更多,因而添加氧也使[C2H2]/[CH3]下降,从而有利于生长(111)晶面的金刚石薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王季陶	复旦大学电子工程系CVD研究室	24	155	7.0	11.0
2	王鹏飞	复旦大学电子工程系CVD研究室	15	50	5.0	6.0
3	丁士进	复旦大学电子工程系CVD研究室	29	174	7.0	12.0
4	张卫	复旦大学电子工程系CVD研究室	43	271	10.0	14.0
5	张剑云	复旦大学电子工程系CVD研究室	7	36	4.0	5.0