高阻CdZnTe晶体的退火处理

• 作者: 刘冬华 史伟民 李万万 李冬梅 李道强 桑文斌 钱永彪 闵嘉华
• 来源期刊: 半导体学报
• 关键词: CdZnTe热处理 Cd1-xZnx熔体蒸汽压 γ射线探测器
• 年，卷（期）: 2001,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 294-598
• 页数: 5页
• 字数: 2597字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.05.012

摘要

获得高电阻率的、完整性好的CdZnTe晶体是研制高性能的CdZnTe γ射线探测器的关键.运用热力学关系估算了Cd1-xZnx熔体平衡分压，尝试以Cd1-xZnx合金源替代Cd源进行Cd0.8Zn0.2Te晶片的热处理，研究了退火对Cd0.8Zn0.2Te晶片质量的影响.结果表明：在1069K下用Cd0.8Zn0.2合金源（PZn=0.122×105Pa和PCd=1.20×105Pa）对Cd0.8Zn0.2Te晶片退火5天以上，可提高晶体电阻率一个数量级和晶体红外透过率10%以上，并可消除或减小晶片中的Te沉淀，同时避免了Zn的损失，改善Zn的径向分布.可见，采用Cd1-xZnx合金源代替Cd源控制进行CZT退火处理优于仅采用Cd源控制的退火处理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	桑文斌	上海大学嘉定校区电子信息材料系	53	535	15.0	20.0
2	闵嘉华	上海大学嘉定校区电子信息材料系	54	281	10.0	15.0
3	钱永彪	上海大学嘉定校区电子信息材料系	14	108	6.0	10.0
4	李万万	上海大学嘉定校区电子信息材料系	12	98	6.0	9.0
5	史伟民	上海大学嘉定校区电子信息材料系	56	313	10.0	14.0
6	李冬梅	上海大学嘉定校区电子信息材料系	15	154	6.0	12.0
7	刘冬华	上海大学嘉定校区电子信息材料系	4	20	2.0	4.0
8	李道强	上海大学嘉定校区电子信息材料系	2	6	1.0	2.0