新型GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器暗电流特性

• 作者: 史衍丽 吴兴惠 尹洁 廉鹏 杜金玉 沈光地 邓军 陈建新 高国
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 新型GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器 暗电流特性分析
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 503-506
• 页数: 4页
• 分类号: TN215
• 字数: 1915字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.04.024

摘要

对基于GaAs/AlGaAs系子带间吸收的一种新型量子阱红外探测器，采用Poisson方程和Schrodinger方程，计算了新器件结构的能带结构、电子分布特性，在此基础上采用热离子发射、热辅助遂穿模型对器件的暗电流特性进行了模拟，计算结果与器件实测的暗电流特性吻合得很好，说明热离子发射、热辅助遂穿机制是形成器件暗电流的主要构成机制，增加垒高、降低阱中掺杂浓度及降低工作温度是抑制器件暗电流的主要途径，计算结果对进一步优化器件的设计将起到重要的理论指导作用．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈光地	北京工业大学北京光电子技术实验室	192	1444	18.0	29.0
2	邓军	北京工业大学北京光电子技术实验室	57	219	7.0	10.0
3	陈建新	北京工业大学北京光电子技术实验室	65	441	11.0	17.0
4	吴兴惠	云南大学物理系	86	1144	19.0	29.0
5	高国	北京工业大学北京光电子技术实验室	22	459	8.0	21.0
6	廉鹏	北京工业大学北京光电子技术实验室	15	86	6.0	8.0
7	史衍丽	北京工业大学北京光电子技术实验室	4	25	3.0	4.0
8	杜金玉	北京工业大学北京光电子技术实验室	8	40	4.0	6.0
9	尹洁	华北光电技术研究所红外室	2	16	2.0	2.0