SiOx调制的三元硅化物(C01-xNix)Si2外延

• 作者: 屈新萍 张荣耀 徐蓓蕾 曹永峰 朱剑豪 李炳宗 王连卫 茹国平 蒋玉龙 韩永召
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 三元硅化物 固相反应 外延
• 年，卷（期）: 2001,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1269-1273
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 3726字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.10.009

摘要

报道了通过Co/Ni/SiOx/Si(100)体系固相反应,实现三元硅化物(Co1xNix)Si2薄膜外延生长及薄膜特性的表征.测试结果表明,中间氧化硅层对原子扩散起到阻挡作用.XRD和RBS图谱显示,有中间层的样品所形成的硅化物膜和硅衬底有良好的外延关系.而Co/Ni/Si(100)体系,则形成多晶硅化物膜,和硅衬底没有外延关系.外延三元硅化物(Co1-xNix)Si2膜的晶格常数介于CoSi2和NiSi2之间,从而可以降低生成膜的应力.薄膜的厚度约为110nm;最小沟道产额(Xmin)为22%.外延三元硅化物膜的电阻率约为17μΩ@cm;高温稳定性达1000C,与CoSi2膜相当.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王连卫	中国科学院上海冶金研究所	11	156	4.0	11.0
2	朱剑豪	香港城市大学物理和材料科学系	24	387	9.0	19.0
3	茹国平	复旦大学电子工程系	21	95	5.0	9.0
4	屈新萍	复旦大学电子工程系	19	84	5.0	8.0
5	李炳宗	复旦大学电子工程系	21	90	5.0	9.0
6	曹永峰	复旦大学电子工程系	3	38	2.0	3.0
7	韩永召	复旦大学电子工程系	2	3	1.0	1.0
8	徐蓓蕾	复旦大学电子工程系	3	12	2.0	3.0
9	蒋玉龙	复旦大学电子工程系	10	35	3.0	5.0
10	张荣耀	香港中文大学电子工程和材料科学与技术研究中心	2	2	1.0	1.0