组合离子注入导致非对称耦合双量子阱界面混合效应光调制反射光谱

• 作者: 刘平 徐文兰 朱德彰 李志锋 李明乾 沈学础 缪中林 胡军 蔡炜颖 袁先漳 陆卫 陈平平 陈昌明
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 非对称耦合双量子阱(ACDQW) 组合注入 光调制反射光谱(PR) 界面混合
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 页码范围: 721-725
• 页数: 5页
• 分类号: O433.5+9
• 字数: 2303字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.06.009

摘要

用分子束外延系统(MBE)生长了GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱(ACDQW),用组合离子注入的方法,在同一块衬底上获得了不同注入离子As+、H+和不同注入剂量的GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱单元,在未经快速热退火的条件下,于常温下测量了光调制反射光谱,发现各单元的子带间跃迁能量最大变化范围可达80meV.