0.1μm T型栅PHEMT器件

• 作者: 刘明 吴德馨 和致经 郑英奎
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 二维电子气 电子束光刻 混合曝光 PHEMT T型栅
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 476-480
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 2185字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.04.018

摘要

通过电子束和接触式曝光相结合的混合曝光方法，并利用复合胶结构，一次电子束曝光制作出具有T型栅的PHEMT器件，并对0.1μm栅长PHEMT器件的整套工艺及器件性能进行了研究．形成了一整套具有新特点的PHEMT器件制作工艺，获得了良好的器件性能(ft=93.97GHz;gm=690mS/mm)．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘明	中国科学院微电子中心	207	1983	20.0	38.0
2	吴德馨	中国科学院微电子中心	58	345	11.0	14.0
3	和致经	中国科学院微电子中心	36	229	9.0	13.0
4	郑英奎	中国科学院微电子中心	15	43	4.0	6.0