高剂量辐照条件下的MOSFET总剂量辐照效应模型

• 作者: 万新恒 张兴 王阳元 高文钰 黄如
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFET 总剂量辐照效应 高剂量 模型
• 年，卷（期）: 2001,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1325-1328
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 2616字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.10.020

摘要

报道了一种用于在高剂量辐照条件下MOS器件抗辐照电路模拟的半经验模型.利用该模型对MOS器件实验结果进行了模拟,模型计算结果与实验吻合较好.初步分析了高剂量条件下不同散射机制对模拟结果的影响,结果表明界面电荷的库仑散射是引起电子迁移率退化的主要机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄如	北京大学微电子学研究所	87	413	9.0	17.0
2	张兴	北京大学微电子学研究所	120	618	12.0	20.0
3	王阳元	北京大学微电子学研究所	78	1128	15.0	32.0
4	万新恒	北京大学微电子学研究所	5	32	4.0	5.0
5	高文钰	北京大学微电子学研究所	6	20	2.0	4.0