一种改进的VLSI关键面积计算模型和方法

• 作者: 寇芸 郝跃 马佩军
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 缺陷 关键面积 成品率
• 年，卷（期）: 2001,（9）
• 页码范围: 1212-1216
• 页数: 5页
• 分类号: TN47
• 字数: 2313字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.09.025

摘要

从故障机理上研究了现有的

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子所	312	1866	17.0	25.0
2	马佩军	西安电子科技大学微电子所	34	163	8.0	10.0
3	寇芸	西安电子科技大学微电子所	4	12	1.0	3.0