用正电子湮没方法研究氦离子等离子体辅助分子束外延InP(InGaAsP)/InP结构

• 作者: 白人骥 赵杰
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 慢正电子湮没 氦离子等离子体 分子束外延
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 页码范围: 102-106
• 页数: 5页
• 分类号: O572.322|O474
• 字数: 2283字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2001.02.005

摘要

用氦离子等离子体辅助分子束外延(PAMBE)方法生长了InP(InGaAsP)/InP结构。研究结果发现,PAMBE外延层具有很高的电阻率和很快的光反应特性。用慢正电子湮没方法研究了这一外延层,测量结果说明这些特性与等离子体造成的缺陷及缺陷随温度变化有直接关系。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	白人骥	天津师范大学物理系	8	16	2.0	3.0
2	赵杰	天津师范大学物理系	40	171	8.0	11.0