1.3 μm InGaAsP半导体激光器的电子辐照效应

• 作者: 廖志君 林理彬 王浙辉 祖小涛
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: InGaAsp半导体激光器 电子辐照 Y2O3-ZrO2膜
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 所属期刊栏目: 激光器件
• 页码范围: 497-500
• 页数: 4页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 2363字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-7025.2001.06.006

摘要

1.3 μm InGaAsP半导体激光器广泛用于光纤通信系统.为了扩大其应用至核环境和外层空间,对InGaAsP半导体激光器的电子辐照进行了研究.在电子能量为0.4～1.80 MeV范围内,注量为1×1012～2×1016 cm-2条件下进行辐照.在注量小于1×1015 cm-2时对InGaAsP半导体激光器的输出性能影响是非致命的.当辐照注量超过1×1015 cm-2时激光器的输出功率则呈数量级下降,如镀以Y2O3-ZrO2膜能使半导体激光器的抗辐照性能得到提高.