薄栅氧化层经时击穿的实验分析及物理模型研究

• 作者: 刘红侠 方建平 郝跃
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 薄栅氧化层 经时击穿 衬底热载流子 击穿电荷 模型
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1172-1178
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 4300字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.06.032

摘要

通过衬底热载流子注入技术，对薄SiO2层击穿特性进行了研究.与通常的F-N应力实验相比较，热载流子导致的薄栅氧化层击穿显示了不同的击穿特性.通过计算注入到氧化层中的电子能量和硅衬底的电场的关系表明，热电子注入和F-N隧穿的不同可以用氧化层中电子的平均能量来解释.热空穴注入的实验结果表明薄栅氧化层的击穿不仅由注入的空穴数量决定.提出了全新的热载流子增强的薄栅氧化层经时击穿模型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	刘红侠	西安电子科技大学微电子研究所	91	434	10.0	15.0
3	方建平	西安电子科技大学微电子研究所	13	118	6.0	10.0