氮化铝陶瓷的制造与应用

• 作者: 崔嵩 毛寒松 王传声
• 来源期刊: 世界产品与技术
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 所属期刊栏目: 通用元器件
• 页码范围: 30-32
• 页数: 3页
• 语种: 中文

摘要

长期以来,绝大多数功率混合集成电路的陶瓷封装材料一直沿用Al2O3和BeO陶瓷,但由于性能、环保、成本等因素逐渐显露出已不能完全适合功率电子器件发展的需要,因此,一种综合性能优越的新型电子陶瓷--A1N陶瓷,无疑将成为传统Al2O3和BeO封装和基板的替代材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王传声		15	18	1.0	4.0
2	毛寒松		5	18	1.0	4.0
3	崔嵩		8	33	3.0	5.0