C70/GaAs异质结的电学性质

• 作者: 刘鸿飞 吴克 周锡煌 孙文红 武兰青 陈开茅 顾镇南
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 固体C70 GaAs 界面态 整流性质
• 年，卷（期）: 2001,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 985-991
• 页数: 7页
• 分类号: O485
• 字数: 5338字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.08.007

摘要

在高真空系统中，将C70膜淀积在n-和p-GaAs(100)衬底上，制成C70/n-GaAs和C70/p-GaAs两种接触，并对它们的电学性质作了研究．结果发现两种接触均为强整流结，在偏压为±1V时，C70/n-GaAs和C70/p-GaAs接触的整流比分别大于106和104，并且它们的理想因子都接近于1．当正向偏压固定时，它们的电流均是温度倒数的指数函数，从中确定两种异质结的有效势垒高度分别为0.784和0.531eV．用深能级瞬态谱（DLTS）在C70/GaAs界面上观察到电子陷阱E(0.640eV)和空穴陷阱H3(0.822eV),以及用电容-时间（C-t）技术在固体C70中观测到两种空穴陷阱H4（1.155eV）和H5（0.856eV）．E(0.640eV) 和 H3(0.822eV) 的密度均小于1012/cm2,可以得出结论：固体C70对GaAs表面具有很好的钝化作用．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾镇南	北京大学化学系	47	888	11.0	29.0
2	周锡煌	北京大学化学系	10	119	6.0	10.0
3	陈开茅	北京大学物理系	6	3	1.0	1.0
4	孙文红	北京大学物理系	4	3	1.0	1.0
5	吴克	北京大学物理系	8	15	2.0	3.0
6	武兰青	北京大学物理系	5	3	1.0	1.0
7	刘鸿飞	北京大学物理系	1	2	1.0	1.0