弱磁场对SnO2薄膜性能的影响

• 作者: 刘洪祥 刘祖黎 刘艳红 魏合林
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: PECVD SnO2 薄膜 磁镜场
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 603-605
• 页数: 3页
• 分类号: O484
• 字数: 2890字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2001.06.013

摘要

利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制备了SnO2薄膜.实验中通过改变磁镜场的磁镜比和磁场大小,研究了弱磁场对SnO2薄膜方块电阻及电阻分布的影响.实验结果表明,随着磁镜比和磁场强度的增加,SnO2薄膜的方块电阻在降低,且电阻分布变得比较均匀;但是,当磁镜比超过5.5时,SnO2薄膜的电阻分布变得越来越不均匀.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘祖黎	华中科技大学物理系	36	485	12.0	21.0
2	刘艳红	华中科技大学物理系	2	3	1.0	1.0
3	魏合林	华中科技大学物理系	5	63	4.0	5.0
4	刘洪祥	华中科技大学物理系	1	3	1.0	1.0